韩国首尔2026年1月28日 美通社 －－ 韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry近日宣布，其第四代200V高压0.18微米BCD （Bipolar－CMOS－DMOS）工艺已正式推出，并将与国内外主要客户启动全面的产品开发，目标是在年内实现量产。

随着汽车电气化与人工智能数据中心扩张的持续加速，市场对高压、高效率功率半导体的需求正迅速增长。特别是汽车电气架构正从12V系统向48V系统过渡，而人工智能服务器和数据中心则将工作电压从380V直流电提升至高达800V直流电，以实现功率效率和密度的最大化。在此背景下，具备可靠且能承受100V以上高电压并实现高效功率控制能力的工艺技术的重要性愈发凸显。

SK keyfoundry新推出的第四代200V高压0.18微米BCD工艺，与上一代工艺相比，Rsp（比导通电阻）和BVDSS（击穿电压）均提升了20％以上，体现了功率效率的提升和高温下的稳定性增强。此外，该工艺针对每个工作电压优化了低导通电阻器件，最大限度地减少了芯片面积和功率损耗，从而提升了整体工艺竞争力。值得注意的是，该工艺提供了多层厚金属间 电介质（Thick IMD）选项，可在采用BCD和高压MOSFET技术的高压、大电流电源管理集成电路（PMIC）器件之间，安全传输数字信号，同时阻断不必要的高压和噪声。它还支持广泛的嵌入式存储选项，包括SRAM、ROM、MTP和OTP，以及用于精密电机控制的霍尔传感器，进一步拓展了高压IC的设计灵活性。

SK keyfoundry的新工艺可应用于开发多种产品，包括高压电源管理和转换IC、电机驱动器、发光二极管（LED）驱动器和电源栅极驱动器。最重要的是，该工艺符合严格的汽车可靠性认证标准AEC－Q100 Grade 0，使其能够直接应用于即使在极端工作条件下也需要高可靠性的汽车电子元件。

SK keyfoundry首席执行官Derek D. Lee表示：“随着AI服务器和汽车电子系统对功率的需求不断增加，市场对超过100V的BCD工艺的需求也在迅速增长。特别是考虑到能够提供基于体硅的高压BCD工艺的晶圆代工厂数量有限，我们200V高压0.18微米BCD工艺的量产是一个具有重要意义的里程碑。我们计划根据功率半导体市场不断变化的客户需求，持续推进我们的工艺技术发展。”