MemoryS 2026|江波龙首发SPU及iSA,端侧AI存储创新布局八大看点解读
深圳2026年3月27日 美通社 -- 2026年3月27日,CFM MemoryS 2026在深圳盛大启幕,全球存储产业链精英齐聚,共探AI时代存储产业的变革与未来。江波龙董事长、总经理蔡华波先生受邀出席并发表《集成存储 探索端侧AI》主旨演讲,立足行业发展趋势与江波龙创新积淀,从定位、模式、产品、技术等多维度,全面分享公司对端侧AI存储的核心理解与综合创新成果,为端侧AI存储产业带来全新的发展路径。
看点一:AI分层存储需求,构建端侧全场景存储应用
演讲开篇从AI产业分层发展格局出发,清晰划分云端与端侧AI的存储服务核心差异:云端AI聚焦面向GPU的专业化存储服务,而端侧AI则围绕高性能容量、SiP系统级集成封装、定制化服务三大核心需求展开,其对存储的要求与过往标准存储生态存在本质区别。正如消费级GPU与AI专用GPU分属截然不同的体系,前者依托通用芯片生态,后者面向完整AI系统产品打造,端侧AI同样需要深度集成的定制化存储方案,而非通用标准存储产品。基于这一精准定位,江波龙聚焦端侧AI集成存储解决方案,精准匹配AI手机、AI辅助驾驶、AI穿戴、AI PC、具身机器人等多元场景,为端侧AI存储创新锚定清晰的场景导向,与云端AI存储形成优势互补。
看点二:端侧AI存储产品Foundry模式
针对端侧AI存储多样化、定制化需求,江波龙以构建起端侧AI存储全链路定制服务Foundry模式,突破传统存储单一升级瓶颈,实现全方位综合提升。该模式覆盖芯片设计、硬件设计、固件软件、封装工艺、工业设计、自动化测试、材料工程、生产制造等全产业链核心环节,通过各环节深度协同、技术整合与能力开放,实现存储产品从设计到交付的全链路定制化与高效化,为端侧AI存储产业发展提供全新模式参考,也是江波龙布局端侧AI存储的核心策略。
看点三:锚定材料散热综合工程能力
端侧AI存储的发展高度依托材料工程能力,其中散热材料更是核心技术挑战,考验综合能力。从技术路线来看,嵌入式存储从eMMC迭代到UFS 5.0,SSD从SATA演进至PCIe 5.0,它们的核心升级方向都指向三点:读写性能更快、单颗容量更大、封装尺寸更小。而要实现这三大升级,离不开四大关键材料综合工程的创新支持:
封装散热材料:满足UFS、SSD高速存储产品的散热需求;
封装工艺材料:保障SiP产品的工艺性能与可靠性;
数据保护材料:确保产品在X射线及其他辐射环境下数据稳定不丢失;
结构外壳材料:采用三防及抗电磁干扰设计,全方位夯实端侧AI存储的材料基础。
看点四:PCIe Gen5 mSSD,新一代高速存储介质
正是在这样的技术方向与底层能力支撑下,继2025年推出PCIe Gen4 mSSD之后,江波龙带来新一代高速存储介质PCIe Gen5 mSSD。产品保持DRAM-less与20×30mm超小尺寸设计,且兼容M.2 2230规格,并可灵活拓展衍生为 M.2 22422280、AI固态存储卡、PSSD等多形态规格,客户无需更改原有设计即可直接兼容,灵活实现多形态、高性能、大容量的全方位创新。同时,PCIe Gen5 mSSD搭载联芸1802主控芯片,并带来了全方位升级:顺序读写性能最高可达11GBs、10GBs,随机读写性能最高可达2200K、1800K IOPS,单盘容量最高支持8TB,其特性精准适配AI PC等端侧AI设备对高速、大容量的存储需求。
看点五:PCIe Gen5 mSSD高效散热方案,保障端侧AI高性能持续输出
针对PCIe Gen5 mSSD小体积、高性能运行下的散热痛点,江波龙率先设计出专属高效散热方案,将VC相变液冷散热应用在mSSD上,实现芯片热量的快速传导与高效散出。该方案集成均热器+TIM1导热胶、石墨烯散热片、VC均热板、铝合金散热拓展卡等多重散热组件,实测数据展现出显著优势:相较于普通散热方案,江波龙PCIe Gen5 mSSD的高效散热方案将11GBs峰值性能维持时间提升至181秒,连续读取容量可达1991GB,是常规PCBA SSD散热方案的近2.5倍。该方案专为 AI PC KV Cache高负载场景设计,可实现Gen5高性能实时吞吐,同时兼容AI PC超薄机身,兼顾高性能与设备形态要求。
看点六:SPU存储处理器+iSA存储智能体,大幅突破端侧AI模型运行瓶颈
本次峰会上,江波龙重磅推出SPU(Storage Processing Unit,存储处理单元)与iSA(Intelligence Storage Agent,存储智能体),构建起“芯片硬件+智能调度”的端侧AI存储软硬件协同技术闭环。与常规SSD主控芯片不同,SPU是面向智能存储架构打造的专用处理单元,芯片基于5nm先进制程工艺打造,单盘最大容量达128TB,当前主流cSSD 容量最大仅至8TB,而大容量eSSD方案成本较高,SPU则有效平衡了容量与成本难题,可高效益替代HDD,为客户探索eSSD方案提供了新可能,同时有望显著降低整体拥有成本。SPU核心具备存内无损压缩、HLC(High Level Cache)高级缓存技术两大关键能力,存内无损压缩平均压缩比达2:1,实测覆盖文本代码数据库等多类数据,大幅节省SSD容量和成本;还能通过HLC技术实现温冷数据下沉至SSD,节省近40% DRAM容量需求。
作为SPU的大脑,iSA存储智能体是面向端侧AI推理的智能调度引擎。针对MoE大模型参数庞大、KV Cache膨胀快、IO延迟影响推理流畅度等问题,通过MoE专家卸载、KV Cache智能管理与智能预取算法,高效解决端侧AI推理的存储调度难题。江波龙与AMD基于锐龙AI Max+ 395处理器的智能体主机开展联合调优,实现397B超大模型本地部署,在256K超长上下文(122B)场景下,将DRAM占用降低近40%,为超大模型本地化高效部署与规模化应用提供了创新的实践方案。未来,双方将充分发挥各自技术与生态优势,持续深化在智能体领域的协同创新。
看点七:HLC技术全端侧落地,实现DRAM降容与成本优化
江波龙将HLC高级缓存技术与SPU、UFS深度集成,实现AI PC端+嵌入式端全端侧场景落地,有效解决端侧设备“性能与成本平衡”难题。在AI PC端,HLC技术依托SPU实现分层设计,性能层打造AI专用高速缓存区,实现大模型专家 键值对卸载,存储层负责操作系统与通用数据存储,通过高优先级读写、低优先级IO调度,在优化AI体验的同时降低终端DRAM容量需求和成本。
在嵌入式端,江波龙与紫光展锐联合开发,搭载紫光展锐芯片平台实测,4GB DDR搭配HLC技术后,20款App启动响应时间仅851ms,接近6GB8GB DDR正常配置水平,且江波龙搭载14nm制程工艺WM7200主控的UFS 2.2产品,顺序读写最高可达1070MBs、1000MBs,随机读写IOPS分别最高可达240K、210K,超过行业主流水平,在保障流畅体验和器件使用寿命的前提下,有效降低终端DRAM容量需求、优化BOM成本。
看点八:端侧AI SiP技术,发挥中国工程师和供应链优势
江波龙依托中国工程师自研优势,完成SiP(System in Package,系统级封装)全流程设计,可将 SoC、eMMCUFS、LPDDR、WiFi、Bluetooth、NFC等多类芯片集成于一颗封装内。针对AI 眼镜、智能手表、POS机等对空间体积、机身轻薄度、散热控制有着严苛要求的终端产品,这一方案能够显著缩小硬件尺寸、优化结构布局及散热表现,是极具竞争力的优选解决方案。结合本土供应链核心能力,有效释放端侧AI产品空间,同时将 SiP 技术优势转化为海外制造端的实际价值,大幅降低海外制造难度,适配全球不同市场的产品需求。
此次峰会,以八大核心看点完整呈现了江波龙在端侧AI存储领域的全维度布局。从精准定位到模式创新,从综合材料工程到产品升级,从技术闭环到场景落地,再到本土优势与全球运营能力的融合,江波龙以“集成存储”为核心,构建起端侧AI存储的完整解决方案。未来,江波龙将秉持“Everything for Memory”的理念,持续深耕存储领域,以技术创新为核心驱动力,与全球产业链伙伴携手,共同推动端侧AI产业创新发展。
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